新闻资讯 - 深圳市继盛达电子有限公司

: 2022-09-22

1200V 耐压 + 70% 开关损耗降低赋能逆变器高效化

核心技术优势：对比传统硅基 IGBT 的性能跃升新能源汽车用 SiC（碳化硅）MOSFET 模块相较于传统硅基 IGBT 模块，在耐压等级、开关损耗与耐温性上实现量级突破。据《2024 年新能源汽车功率半导体技术白皮书》实测数据，该类模块额定耐压达 1200V，较同规格硅基 IGBT 模块（…

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: 2022-09-22

±0.1% 精度 + 1μs 响应速度优化变流器控制

核心技术优势：对比传统霍尔电流传感器的性能跃升工业用高精度电流传感器相较于传统霍尔电流传感器，在测量精度、响应速度与环境适应性上实现显著突破。据《2024 年工业传感器技术白皮书》实测数据，该类传感器的满量程（FS）测量精度达 0.1%，较传统霍尔传感器（1% FS）…

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: 2022-09-22

1000V 耐压 + 10 万次通断寿命适配强电控制

核心技术优势：对比传统电磁继电器的性能跃升工业用高可靠性固态继电器（SSR）相较于传统电磁继电器，在耐压等级、通断寿命与抗干扰性上实现显著突破。据《2024 年工业控制元器件技术白皮书》实测数据，该类 SSR 额定耐压达 1000V，较传统电磁继电器（600V）提升 67%，可…

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: 2022-09-22

±1mV 电压检测精度 + 50μs 过流保护响应保障电池安全

核心技术优势：对比传统 BMS 芯片的性能跃升储能系统用高安全性 BMS 芯片相较于传统工业级 BMS 芯片，在检测精度、安全响应速度与电池均衡能力上实现显著突破。据《2024 年储能 BMS 技术白皮书》实测数据，该芯片的单体电池电压检测精度达 1mV，较传统 BMS 芯片（5mV）提…

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: 2022-09-22

±5ppm 频率稳定度 + 10ppm/℃温漂优化时序控制

核心技术优势：对比传统工业晶振的性能跃升工业用高稳定性有源晶振相较于传统工业级无源晶振，在频率稳定度、温漂控制与抗干扰能力上实现显著突破。据《2024 年工业时序元器件技术白皮书》实测数据，该晶振的年频率稳定度达 5ppm（parts per million），较传统无源晶振（…

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: 2022-09-22

5kVrms 隔离电压 + 100ns 响应速度保障强电控制安全

核心技术优势：对比传统工业光耦的性能跃升工业用高隔离度光耦合器相较于传统工业级光耦，在隔离耐压、响应速度与环境适应性上实现显著突破。据《2024 年工业光电子元器件技术白皮书》实测数据，该光耦的额定隔离电压达 5kVrms（1 分钟耐压测试），较传统光耦（3kVrms）提…

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: 2022-09-22

-55℃~125℃宽温 + 10 万小时寿命适配恶劣工况

核心技术优势：对比传统薄膜电容器的性能跃升工业用高耐候性薄膜电容器相较于传统工业级薄膜电容器，在耐温范围、使用寿命与纹波电流耐受能力上实现显著突破。据《2024 年工业被动元器件技术白皮书》实测数据，该电容器工作温度范围覆盖 - 55℃~125℃，较传统薄膜电容器（…

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: 2022-09-22

IP68 防护 + 5000 次插拔寿命适配恶劣连接场景

核心技术优势：对比传统工业连接器的性能跃升工业用高防护等级板对板连接器相较于传统工业级板对板连接器，在防护能力、插拔寿命与环境耐受性上实现显著突破。据《2024 年工业连接器技术白皮书》实测数据，该连接器防护等级达 IP68（水深 1.5m 浸泡 30 分钟无渗漏），较传…

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: 2022-09-22

±5ppm/℃温漂 +±0.1% 精度支撑精密测量

核心技术优势：对比传统电压基准芯片的性能跃升工业用高稳定性电压基准芯片相较于传统工业级电压基准芯片，在温度漂移控制、长期稳定性与输出精度上实现显著突破。据《2024 年工业模拟元器件技术白皮书》实测数据，该芯片的温度漂移系数低至 5ppm/℃（-40℃~125℃），较传…

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