常见问题 - 深圳市继盛达电子有限公司

: 2022-09-22

1200V 耐压 + 70% 开关损耗降低赋能逆变器高效化

核心技术优势：对比传统硅基 IGBT 的性能跃升新能源汽车用 SiC（碳化硅）MOSFET 模块相较于传统硅基 IGBT 模块，在耐压等级、开关损耗与耐温性上实现量级突破。据《2024 年新能源汽车功率半导体技术白皮书》实测数据，该类模块额定耐压达 1200V，较同规格硅基 IGBT 模块（…

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: 2022-09-22

±0.1% 精度 + 1μs 响应速度优化变流器控制

核心技术优势：对比传统霍尔电流传感器的性能跃升工业用高精度电流传感器相较于传统霍尔电流传感器，在测量精度、响应速度与环境适应性上实现显著突破。据《2024 年工业传感器技术白皮书》实测数据，该类传感器的满量程（FS）测量精度达 0.1%，较传统霍尔传感器（1% FS）…

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: 2022-09-22

1000V 耐压 + 10 万次通断寿命适配强电控制

核心技术优势：对比传统电磁继电器的性能跃升工业用高可靠性固态继电器（SSR）相较于传统电磁继电器，在耐压等级、通断寿命与抗干扰性上实现显著突破。据《2024 年工业控制元器件技术白皮书》实测数据，该类 SSR 额定耐压达 1000V，较传统电磁继电器（600V）提升 67%，可…

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