供应碳化硅（SiC）MOSFET（如 B3M040120Z，1200V/40mΩ，175℃下 R₍DS (on)₎仅 75mΩ），开关损耗降低 40%，助力 30-60kW 快充模块达成 GB 46519-2025 一级能效（效率≥96.5%）；配套 PFC 专用 IGBT（BG75N65HRA1，VCE (sat)≤1.6V，Rth (j−c)=0.37K/W），适配 10-100kHz 高频拓扑，减少温升。